FQP27P06
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FQP27P06 |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.10 |
10+ | $1.89 |
100+ | $1.519 |
500+ | $1.248 |
1000+ | $1.0341 |
2000+ | $0.9628 |
5000+ | $0.9271 |
10000+ | $0.8948 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 13.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 120W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 27A (Tc) |
Grundproduktnummer | FQP27 |
FQP27P06 Einzelheiten PDF [English] | FQP27P06 PDF - EN.pdf |
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2024/05/14
2024/09/9
2024/06/28
2024/05/22
FQP27P06onsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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